新一代基于氮化镓(GaN)的卫星通信固态功率放大器
2023-12-22
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)于 2000 年初问世,给整个卫星通信领域留下了不可否认的印记。自固态微波技术问世以来,设计和制造的功率放大器在可靠性、线性度、功率密度和能效方面首次超过了所有现有技术(砷化镓、LDMOS 或 TWT)的几个数量级。
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