使用大功率单晶 AlN-on-SiC 谐振器的低损耗 3.7GHz 宽带 BAW 滤波器

2023-12-22

来源公司：Akoustis

报告介绍了中心频率为 3.7GHz 的体声波 (BAW) 滤波器，该滤波器由在碳化硅 (SiC) 衬底上外延生长的单晶氮化铝 (AlN) 压电薄膜组成。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长技术，在直径为 150 毫米的 c 平面半绝缘碳化硅衬底上获得了单晶氮化铝薄膜，其 (0004) X 射线衍射（XRD）摇摆曲线全宽半最大值（FWHM）为 0.025◦。制成的滤波器（1.25x0.9 平方毫米）中心频率为 3.71 千兆赫，3dB 带宽为 100 兆赫，插入损耗为 2.0dB，窄带抑制为 40dB，带外抑制超过 37dB，频率可达 8 千兆赫。同一晶片上的单个谐振器显示出高达 7.63% 的机电耦合和高达 1572 的最大品质因数。配置为单个 2 端口器件的 5 欧姆谐振器的插入损耗在 10W 大功率存活测试后变化了 0.15dB。这是基于单晶 AlN-on-SiC 的 BAW 谐振器和滤波器技术在 3.7GHz 频率下的首次演示，展示了基于单晶 AlN-on-SiC 的 BAW 技术平台的潜力，可为高频移动、Wi-Fi 和基础设施应用提供紧凑、高功率和高性能的滤波器解决方案。

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