用于 6 GHz 以下微型射频滤波器应用的高功率宽带单晶体 XBAW 技术

2023-12-22

来源公司：Akoustis

作者报告了在硅衬底上采用 6 英寸 MEMS 晶圆工艺制造的体声波 (BAW) 滤波器技术，该技术兼容单晶和多晶体氮化铝 (AlN) 压电材料（称为 XBAW），并提出了一些指标，证明谐振器技术 能够在 6 GHz 以下频谱提供高可靠性、大功率、紧凑型、高性能射频滤波器解决方案，在 1.8 GHz 频率下的 Qmax 高达 3685，谐振器功耗系数 (FOM) 为 222。作者使用 XBAW 工艺比较了由单晶金属有机化学气相沉积 (MOCVD) AlN 和多晶物理气相沉积 (PVD) AlN 压电材料制成的滤波器的功率处理能力，结果表明，单晶 MOCVD AlN XBAW 技术的功率处理能力在封装时比 PVD AlN XBAW 高出 2.3 倍，在晶圆上测量时高出 1.8 倍。首次可靠性研究表明，单晶 MOCVD AlN XBAW 滤波器的存活时间远远超过 PVD AlN XBAW 滤波器的存活时间。在高频能力方面，作者报告的滤波器中心频率为 5.25 GHz，3dB 带宽为 205 MHz，最小插入损耗为 0.83dB，在 30 MHz 至 11 GHz 范围内具有出色的宽带抑制能力，在 UNII 2C+3 波段的衰减大于 50dB。

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