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用于宽带应用的射频功率晶体管

2023-12-22

来源公司：Ampleon

国防通信和对抗措施不断发展的要求，继续对功率放大器晶体管提出挑战，要求其具有宽带宽和混合波形模式，从 QAM、OFDM 到具有扩展视频带宽的恒定包络（FM），以支持多载波应用。所有这些都必须在小巧的外形尺寸和可行的热管理设计中实现。这些软件定义的无线电具有频率灵活、多模式的要求，继续要求晶体管在宽动态范围和带宽内具有更高的效率和线性。 Ampleon 采用两种晶体管技术应对这些挑战和应用：对于 1 GHz 以下的应用，我们有多种 Si LDMOS 选择和功率级别，以满足多倍频程带宽应用。对于工作频率高于 1 GHz 的应用，GaN-SiC HEMT 通常是正确的技术选择，因为较高的 Ft 和较低的寄生电容有助于支持这些较高频率下的宽带。本白皮书将回顾我们的产品和参考设计示例，展示 Si LDMOS 和 GaN-SiC HEMT 在高能效设定点下的宽带线性特性。Ampleon 在硅 LDMOS 晶体管方面拥有悠久的传统，目前正在提供支持宽带应用的第 9 代技术。这些硅 LDMOS 产品概述如下，工作电压范围从 28 V 到 65 V。此外，Ampleon 最近发布了第三代 GaN-SiC HEMT。这些器件经过专门设计，可在宽带宽范围内提供具有无与伦比的线性性能的宽带功率。Ampleon 的宽带选择选项将帮助您将应用与正确的器件和参考设计相匹配。

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