大信号 Cree GaN 场效应晶体管 (FET) 模型的负载拉力验证

2023-12-22

来源公司：Wolfspeed

射频功率晶体管的大信号模型如果能与测量性能很好地匹配，则是减少功率放大器设计迭代、设计时间和开发成本的理想工具。由于器件的自发热以及元件参数的非线性与信号电平、热效应和环境条件的复杂关系，通常很难准确预测射频功率器件的大信号性能。Cree 的 SiC 基底面 GaN HEMT 器件因其高效率、高增益和相对容易的匹配特性而在许多应用中越来越受欢迎。因此，这些器件的用户希望能够在其仿真环境中评估 Cree 器件模型的准确性。 这种方法的主要优点之一是无需开发硬件，也无需进行耗时且可能不准确的负载拉力测量。此外，还可以进行更深入的假设分析，从而加快设计周期，密切与布局的联系，取得更多的首次设计成功。在 Cree，有大量的历史资料可以证明，在分立、混合和 MMIC 产品开发的许多不同设计实践中，大信号模型在验证设计的驱动电平、频率、偏置和温度方面的成功应用。

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