氮化镓和 pHEMT 损耗模式器件的偏压技术

2023-12-22

来源公司：Triquint

工艺技术的进步已使氮化镓耗尽模器件走出研究实验室，进入通信市场。例如，在许多微波应用中，主导功率放大器设计的 LDMOS 器件正在让位于氮化镓解决方案，特别是在效率和线性度是关键要求的最终输出级。氮化镓的高功率密度、高效率特性使其在微波应用中具有重要价值，预计氮化镓器件进入未来通信系统的趋势将持续下去。因此，有必要开发新型偏压技术，为耗尽模式器件提供适当的偏压控制和温度补偿。这些技术必须与通信应用兼容，因为通信应用需要在高电容负载条件下稳定工作，以满足传输 4G 和 LTE 信号的 Doherty 配置放大器的宽视频带宽要求。由于 pHEMT 器件已在众多应用中得到广泛应用，因此我们的方法是开发适用于任何类型耗尽模式器件的通用技术。

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