HMC369LP3 / 369LP3E

分类：倍频器

厂家： Analog Devices

产地：美国

型号： HMC369LP3 / 369LP3E

更新时间： 2024-11-16 04:00:33

标签：

射频组件微波技术频率倍增器 GaAs技术高频应用

简介：

4.95 to 6.35 GHz, 2x Frequency Multiplier

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概述

HMC369LP3和HMC369LP3E是活跃的微型x2频率倍增器，采用InGaP GaAs HBT技术，封装为3x3mm无引脚QFN表面贴装包。

参数

类型 / Type : Active
多因子 / Mult Factor : 2x
输入频率 / Input Frequency : 4.95 to 6.35 GHz
输出频率 / Output Frequency : 9.9 to 12.7 GHz
输入功率 / Input Power : 0 to 5 dBm
输出功率 / Output Power : 4 dBm
谐波 / Harmonics : 30 dBc
相位噪声 / Phase Noise : -142 dBc/Hz
回波损耗 / Return Loss : 5.5 to 17 dB
回波损耗输入 / Return Loss Input : 16 to 17 dB
回波损耗输出 / Return Loss Output : 5.5 to 6 dB
频率 / Frequnecy : 4.95 to 6.35 GHz
电压 / Voltage : 5 V
当前 / Current : 46 mA
包装类型 / Package Type : Surface Mount
RoHS / RoHS : Yes

应用

1. X波段应用 2. OC-192时钟恢复 3. 微波无线电与VSAT 4. 军用无线电、雷达与电子对抗 5. 测试仪器

特征

1. 输出功率：+4 dBm 2. 次谐波抑制：30 dBc 3. 低添加SSB相位噪声：-142 dBc/Hz 4. 单电源：5V@46 mA 5. 16引脚3x3mm SMT封装：9mm²

详述

HMC369LP3和HMC369LP3E是高度集成的x2频率倍增器，专为X波段应用而设计。这款产品利用InGaP GaAs HBT技术，确保了在宽频率范围内的稳定输出功率，通常可达到+4 dBm。其优越的次谐波抑制性能为30 dBc，使其在高频应用中表现出色。该器件的低相位噪声特性，尤其是在100 kHz偏移时可达到-142 dBc/Hz，确保了系统的良好噪声性能。此外，HMC369LP3和HMC369LP3E的单电源设计和紧凑的3x3mm封装使其在空间受限的应用中尤为理想。无论是在军事无线电、雷达、电子对抗，还是在微波无线电和VSAT通讯中，HMC369LP3系列都展现了卓越的性能，是高效能射频系统的理想选择。

规格书

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厂家介绍

凭借对设计技能、系统理解和工艺技术的独特组合，Analog Devices 提供最广泛的射频集成电路产品组合，涵盖从业界领先的高性能射频功能块到高度集成的单芯片收发器解决方案的整个射频信号链。射频功能块包括 DDS 和 PLL 合成器、TruPwr 功率检测器和对数放大器、X-Amp VGA、功率放大器、LNA 和其他放大器、混频器以及直接转换调制器和解调器产品。

其它

智推产品： HMC371LP3 HMC371LP3E HMC368LP3

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