概述
参数
- 类型 / Type : PIN-Schottky Diode, PIN Diode
- 频率 / Frequency : 1 to 2 GHz
- 平面渗漏 / Flat Leakage : 19 dBm
- CW 输入功率 / CW Input Power : 55 dBm
- 输入功率 / Input Power : 0.015 W
- 峰值输入功率 / Peak Input Power : 1000 W
- 输出功率有限 / Limited Output Power : 19 dBm
- 有限输出功率(瓦) / Limited Output Power (W) : 0.007 W
- 插入损耗 / Insertion Loss : 0.8 to 0.35 dB
- 回波损耗 / Return Loss : 10 to 19 dB
- 脉冲宽度 / Pulse Width : 1 ms
- 尖峰_泄漏 / Spike_Leakage : 0.5 ergs
- 恢复时间 / Recovery Time : 3 µs
- 包装类型 / Package Type : Ceramic
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 尺寸 / Dimension : 10.1 x 6.2 x 3.2 mm
- 工作温度 / Operating Temperature : -65 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- RoHS / RoHS : Yes
- 应用 / Application : RF Energy
- 应用 / Application : Scientific
- 应用 / Application : Medical
- 等级 / Grade : Space
- 等级 / Grade : Military
应用
1. 高功率接收器保护 2. 微波电路 3. 需要高性能表面贴装限制器的应用
特征
1. +55 dBm峰值功率处理能力 @ +85°C 2. 无铅封装 3. RoHS合规 4. 260°C回流焊兼容 5. 密封外壳
详述
规格书
厂家介绍
其它
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