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HG117K
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简介:
GaAs pHEMT Reflective SPST RF Switch from DC to 20 GHz
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概述
HG117K是一款反射型GaAs pHEMT单刀单掷(SPST)开关芯片,覆盖频率范围为DC至20GHz,具有高达55 dB的隔离度和低至2.1 dB的插入损耗。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SPST
- 终止 / Termination : Reflective
- 频率 / Frequency : DC to 20 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 2.1 dB
- 隔离 / Isolation : 55 dB
- 电源 / Power : 0.5 W
- 电源电压 / Supply Voltage : -5 V
- 控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
- 驻波比 / VSWR : 1.50:1
- 驻波比输入 / VSWR Input : 1.50:1
- 驻波比输出 / VSWR Output : 1.50:1
- 包装类型 / Package Type : Chip
- 尺寸 / Dimension : 1.24 x 1.16 x 0.1 mm
- 技术 / Technology : GaAs pHEMT
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 等级 / Grade : Commercial
应用
1. RF开关 2. 通信系统 3. 雷达系统
特征
1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 容易控制
详述
HG117K是一款高性能的GaAs pHEMT SPST反射型开关芯片,专为高频应用设计。它的工作频率范围覆盖从直流到20GHz,能够提供高达55 dB的隔离度,确保信号的纯净传输,同时其2.1 dB的插入损耗使其在信号传输过程中几乎不引入额外损耗。这款开关的供电电压为-5V,控制电压范围为0至+5V,使用非常方便。HG117K广泛应用于RF开关、通信系统和雷达系统等领域,是现代射频设计中不可或缺的组件。其小巧的芯片尺寸为1.24mm×1.16mm×0.1mm,适合高密度电路设计。在使用时需注意静电保护和存储环境,以保证其性能的稳定性与可靠性。
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