HG123K-2

分类：开关

厂家： Microarray Technologies Corporation

产地：中国大陆

型号： HG123K-2

更新时间： 2025-01-27 21:11:24

标签：

无线通信雷达射频开关低插入损耗高隔离度 GaAs SPDT

简介：

GaAs pHEMT Reflective SPDT RF Switch from 1 to 7 GHz

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概述

HG123K-2是一款反射型GaAs pHEMT SPDT开关芯片，覆盖频率范围1至7GHz，具有高达40dB的隔离度和极低的插入损耗，仅为0.9dB。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
终止 / Termination : Reflective
频率 / Frequency : 1 to 7 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 0.9 dB
隔离 / Isolation : 40 dB
电源 / Power : 0.5 W
电源电压 / Supply Voltage : 5 V
控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
驻波比 / VSWR : 1.30:1, 1.40:1
驻波比输入 / VSWR Input : 1.30:1
驻波比输出 / VSWR Output : 1.40:1
包装类型 / Package Type : Chip
尺寸 / Dimension : 1.37 x 1.07 x 0.1 mm
技术 / Technology : GaAs pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial

应用

1. 无线通信设备 2. 雷达系统 3. 测试与测量设备

特征

1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 宽频率范围 4. 适应性强

详述

HG123K-2是一款高性能的GaAs MMIC SPDT反射型开关，适用于频率范围为1GHz至7GHz的应用。它的设计特点包括高达40dB的隔离度和仅为0.9dB的插入损耗，使其在无线通信和雷达系统中表现出色。该开关需要+5V的供电电压，并支持0/+5V的控制电压，确保了其在多种环境下的可靠性和稳定性。HG123K-2的芯片尺寸为1.37mm×1.07mm×0.1mm，便于集成到紧凑的系统中。使用时需注意静电保护及环境要求，以确保产品的最佳性能。该产品不仅适合于工业应用，也适合于科研和实验室设备，展现了其广泛的适用性。

规格书

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厂家介绍

其它

智推产品： HG123K-3 HG124K-1

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