HG123KA-3

分类：开关

厂家： Microarray Technologies Corporation

产地：中国大陆

型号： HG123KA-3

更新时间： 2024-11-04 00:25:57

标签：

无线通信射频开关低插入损耗高隔离度 GaAs SPDT

简介：

GaAs pHEMT Absorptive SPDT RF Switch from 500 MHz to 5 GHz

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概述

HG123KA-3是一个非反射型GaAs pHEMT SPDT开关芯片，覆盖频率范围为0.5到5GHz，具有高达70dB的隔离度和极低的0.8dB插入损耗。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
终止 / Termination : Absorptive
频率 / Frequency : 500 MHz to 5 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 0.8 dB
隔离 / Isolation : 70 dB
电源 / Power : 0.5 W
电源电压 / Supply Voltage : 5 V
控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
驻波比 / VSWR : 1.20:1, 1.40:1
驻波比输入 / VSWR Input : 1.40:1
驻波比输出 / VSWR Output : 1.20:1
包装类型 / Package Type : Chip
尺寸 / Dimension : 1.94 x 1.35 x 0.1 mm
技术 / Technology : GaAs pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial

应用

1. 无线通信 2. 雷达系统 3. 测试设备

特征

1. 非反射型设计 2. 高隔离度 3. 低插入损耗 4. 宽频率范围 5. 紧凑的芯片尺寸

详述

HG123KA-3是一款高性能的GaAs MMIC SPDT开关，适用于0.5到5GHz频段。它的设计特点包括非反射型结构，能够提供高达70dB的隔离度和仅0.8dB的插入损耗，使其非常适合于无线通信、雷达系统及测试设备等应用。该开关具备优异的电气性能，能够在+5V供电下稳定工作，并且控制电压范围为0到+5V。其紧凑的芯片尺寸（1.94mm×1.35mm×0.1mm）使其适合于空间受限的应用场景。此外，HG123KA-3的工作温度范围广泛，从-55℃到125℃，确保它在各种环境条件下都能正常运行。对于需要高性能射频开关的工程师和设计师来说，HG123KA-3是一个理想的选择。

规格书

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厂家介绍

其它

智推产品： HG123KA-4 HG123KA-2

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