HG123KB

分类：开关

厂家： Microarray Technologies Corporation

产地：中国大陆

型号： HG123KB

更新时间： 2024-10-18 00:06:24

标签：

微波技术射频开关高隔离低插入损耗 GaAs SPDT

简介：

GaAs pHEMT Reflective SPDT RF Switch from DC to 4 GHz

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概述

HG123KB是一个反射式GaAs pHEMT SPDT开关芯片，频率范围覆盖DC到4GHz，提供30dB的隔离和极低的插入损耗，仅为0.5 dB。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
终止 / Termination : Reflective
频率 / Frequency : DC to 4 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 0.5 dB
隔离 / Isolation : 30 dB
电源 / Power : 0.5 W
控制电压 / Control Voltage : ± 5.5 V
驻波比 / VSWR : 1.10:1
驻波比输入 / VSWR Input : 1.10:1
驻波比输出 / VSWR Output : 1.10:1
包装类型 / Package Type : Chip
尺寸 / Dimension : 0.625 x 0.6 x 0.1 mm
技术 / Technology : GaAs pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial

应用

1. 无线通信 2. 雷达系统 3. 测试设备

特征

1. 低插入损耗 2. 高隔离度 3. 支持正负控制电压

详述

HG123KB是Microarray Technologies Corporation推出的一款高性能反射式GaAs pHEMT SPDT开关芯片。该产品的频率范围从直流到4GHz，能够提供低至0.5 dB的插入损耗和30 dB的隔离度，使其在无线通信、雷达系统及测试设备等多个领域中有着广泛的应用。HG123KB的控制电压为0/+5V或0/-5V，且不需要偏置电源，简化了系统设计。该芯片的尺寸为0.625mm×0.6mm×0.1mm，适合于高集成度的应用场合。产品在使用时需要注意静电保护和环境条件，以保证其性能和可靠性。总体而言，HG123KB是一款兼具高性能与高可靠性的RF开关解决方案。

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