HG123KF-1

分类：开关

厂家： Microarray Technologies Corporation

产地：中国大陆

型号： HG123KF-1

更新时间： 2024-10-17 22:14:42

标签：

微波技术射频开关高隔离低插入损耗 GaAs SPDT

简介：

GaAs pHEMT Absorptive SPDT RF Switch from DC to 6 GHz

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概述

HG123KF-1是一个非反射性GaAs pHEMT SPDT开关芯片，覆盖DC到6GHz，具有45 dB的高隔离度和1.4 dB的极低插入损耗。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
终止 / Termination : Absorptive
频率 / Frequency : DC to 6 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 1.4 dB
隔离 / Isolation : 45 dB
电源 / Power : 0.5 W
电源电压 / Supply Voltage : 5 V
控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
驻波比 / VSWR : 1.40:1, 1.60:1
驻波比输入 / VSWR Input : 1.40:1
驻波比输出 / VSWR Output : 1.60:1
包装类型 / Package Type : Chip
尺寸 / Dimension : 1.55 x 1.55 x 0.1 mm
技术 / Technology : GaAs pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial

应用

1. 无线通信 2. 雷达系统 3. 信号处理

特征

1. 非反射性设计 2. 高隔离度 3. 低插入损耗 4. 宽频带

详述

HG123KF-1是Microarray Technologies Corporation推出的一款高性能GaAs MMIC SPDT开关，适用于DC到6GHz的频率范围。这款开关的设计确保了高达45 dB的隔离度和仅1.4 dB的插入损耗，适合用于无线通信、雷达系统及信号处理等应用场景。它的供电电压为+5V，控制电压范围为0至+5V，能够有效满足各种应用需求。同时，HG123KF-1的芯片尺寸为1.55mm×1.55mm×0.1mm，便于集成到不同设备中。该产品的绝对最大供电电压为+5.5V，射频输入功率可达+27dBm，确保在各种环境下的可靠性和稳定性。总之，HG123KF-1是一款性能卓越的射频开关，适合各种高频应用。

规格书

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厂家介绍

其它

智推产品： HG124KF-2 HG125KF-3

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