HG125KA-1/HG125KA-1(M)

分类：开关

厂家： Microarray Technologies Corporation

产地：中国大陆

型号： HG125KA-1/HG125KA-1(M)

更新时间： 2025-01-18 14:49:52

标签：

射频开关高隔离低插入损耗 GaAs 宽频率范围

简介：

GaAs pHEMT Reflective SPDT RF Switch from DC to 12 GHz

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概述

HG125KA/HG125KA(M) 是一款反射型 GaAs pHEMT SPDT 开关芯片，覆盖 DC 到 12 GHz，提供高达 50 dB 的高隔离度和极低的 0.9 dB 插入损耗。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
终止 / Termination : Reflective
频率 / Frequency : DC to 12 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 0.9 dB
隔离 / Isolation : 50 dB
电源 / Power : 0.5 W
电源电压 / Supply Voltage : -5 V
控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
驻波比 / VSWR : 1.20:1
驻波比输入 / VSWR Input : 1.20:1
驻波比输出 / VSWR Output : 1.20:1
包装类型 / Package Type : Chip
尺寸 / Dimension : 1.28 x 1.26 x 0.1 mm
技术 / Technology : GaAs pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial

应用

1. 无线通信 2. 雷达系统 3. 卫星通信 4. 测试与测量设备

特征

1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 宽频率范围 4. 小型化设计

详述

HG125KA-1/HG125KA-1(M) 是一款高性能的反射型 GaAs pHEMT SPDT 开关，适用于频率范围从 DC 到 12 GHz 的应用。该产品的设计旨在满足现代通信系统对高隔离度和低插入损耗的严格要求。它的隔离度可达 50 dB，插入损耗仅为 0.9 dB，确保信号的高质量传输。此开关采用 -5V 的供电电压和 0/+5V 的控制电压，适合多种无线通信、雷达系统和卫星通信等应用。HG125KA-1/HG125KA-1(M) 的小尺寸设计使其易于集成到各种设备中，同时提供卓越的电气性能，是射频工程师的理想选择。

规格书

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厂家介绍

其它

智推产品： HG125KA-2 HG125KA-3

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