HG125KC

分类：开关

厂家： Microarray Technologies Corporation

产地：中国大陆

型号： HG125KC

更新时间： 2024-10-17 18:51:11

标签：

射频开关低插入损耗高隔离度 MMIC SPDT开关 GaAs

简介：

GaAs pHEMT Reflective SPDT RF Switch from DC to 12 GHz

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概述

HG125KC是一款反射型GaAs pHEMT SPDT开关芯片，覆盖频率范围为DC至12GHz，具有高达55 dB的隔离度和极低的插入损耗1 dB。该开关使用0/-5V的负控制电压操作，无需偏置电源。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
终止 / Termination : Reflective
频率 / Frequency : DC to 12 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 1 dB
隔离 / Isolation : 55 dB
电源 / Power : 0.5 W
控制电压 / Control Voltage : 0 to -5 V
驻波比 / VSWR : 1.20:1
驻波比输入 / VSWR Input : 1.20:1
驻波比输出 / VSWR Output : 1.20:1
包装类型 / Package Type : Chip
尺寸 / Dimension : 1.4 x 1.25 x 0.1 mm
技术 / Technology : GaAs pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial

应用

1. 无线通信 2. 雷达系统 3. 测试和测量设备

特征

1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 无需偏置电源

详述

HG125KC是一款高性能的反射型GaAs pHEMT SPDT开关，专为满足现代无线通信和雷达系统的需求而设计。其工作频率范围覆盖DC至12GHz，提供卓越的性能，具有高达55 dB的隔离度和仅1 dB的插入损耗，确保信号的高效传输和低失真。此外，该开关采用0/-5V的负控制电压，简化了电源设计，无需额外的偏置电源，增强了其应用灵活性。HG125KC特别适合用于各种高频应用，如无线基站、测试和测量设备等。其小巧的芯片尺寸和优异的电气特性使其成为射频工程师的理想选择。为确保其稳定性和可靠性，用户在存储和使用时需注意防静电和环境的干燥。整体来看，HG125KC是一款兼具高性能和高可靠性的射频开关，适合多种应用场合。

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智推产品： GaAs MMIC功率分配器 RF连接器射频滤波器

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