HG126KB

分类：开关

厂家： Microarray Technologies Corporation

产地：中国大陆

型号： HG126KB

更新时间： 2025-01-27 21:15:43

标签：

无线通信射频低插入损耗高隔离度 SPDT开关 GaAs

简介：

GaAs pHEMT Reflective SPDT RF Switch from DC to 18 GHz

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概述

HG126KB是一款反射型GaAs pHEMT SPDT开关芯片，覆盖频率范围为DC到18GHz，具有极高的隔离度和极低的插入损耗。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
终止 / Termination : Reflective
频率 / Frequency : DC to 18 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 1 dB
隔离 / Isolation : 40 dB
电源 / Power : 0.5 W
电源电压 / Supply Voltage : -5 V
控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
驻波比 / VSWR : 1.20:1
驻波比输入 / VSWR Input : 1.20:1
驻波比输出 / VSWR Output : 1.20:1
包装类型 / Package Type : Chip
尺寸 / Dimension : 1 x 1.14 x 0.1 mm
技术 / Technology : GaAs pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial

应用

1. 无线通信 2. 测试设备 3. 雷达系统

特征

1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 宽频率范围

详述

HG126KB是一款高性能的反射型GaAs pHEMT SPDT开关芯片，适用于DC到18GHz的频率范围。该产品以其极低的插入损耗（仅为1 dB）和高达40 dB的隔离度而闻名，能够有效地隔离信号并减少信号损失。HG126KB开关的工作电压为-5V，并且能够在0到+5V之间的控制电压下运行，满足多种应用需求。该开关广泛应用于无线通信、测试设备以及雷达系统等领域，帮助工程师们实现高效的信号处理和传输。其小巧的芯片尺寸（1mm×1.14mm×0.1mm）使其在空间受限的应用中也能轻松集成。使用HG126KB，用户可以期待卓越的性能和可靠性，是射频应用中的理想选择。

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