HG126KC

分类：开关

厂家： Microarray Technologies Corporation

产地：中国大陆

型号： HG126KC

更新时间： 2024-10-17 19:30:24

标签：

射频开关低插入损耗高隔离度 GaAs

简介：

GaAs pHEMT Reflective SPDT RF Switch from DC to 18 GHz

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概述

HG126KC是一款反射式GaAs pHEMT SPDT开关芯片，覆盖频率范围为DC到18GHz，提供极高的隔离度和极低的插入损耗。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
终止 / Termination : Reflective
频率 / Frequency : DC to 18 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 1 dB
隔离 / Isolation : 40 dB
电源 / Power : 0.5 W
控制电压 / Control Voltage : 0 to -5 V
驻波比 / VSWR : 1.20:1, 1.30:1
驻波比输入 / VSWR Input : 1.20:1
驻波比输出 / VSWR Output : 1.30:1
包装类型 / Package Type : Chip
尺寸 / Dimension : 1.21 x 1.24 x 0.1 mm
技术 / Technology : GaAs pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial

应用

1. RF信号切换 2. 通信设备 3. 测试与测量设备

特征

1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 无需偏置电源

详述

HG126KC是一款高性能的反射式GaAs pHEMT SPDT开关，适用于各种射频信号切换应用。其工作频率范围覆盖从直流到18GHz，能够满足现代通信设备和测试仪器的高标准要求。该开关的插入损耗仅为1dB，确保信号传输的高效性，同时拥有高达40dB的隔离度，有效防止信号干扰。HG126KC的控制电压范围为0到-5V，操作简单，无需额外的偏置电源。芯片设计紧凑，尺寸仅为1.21mm×1.24mm×0.1mm，适合于空间受限的应用场合。该产品的可靠性高，适应温度范围广，能够在-55℃至125℃的环境下稳定工作，适合多种工业和科研领域的应用。

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其它

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