HG127K

分类：开关

厂家： Microarray Technologies Corporation

产地：中国大陆

型号： HG127K

更新时间： 2024-11-03 20:31:08

标签：

微波技术射频开关低插入损耗高隔离度 GaAs SPDT

简介：

GaAs pHEMT Absorptive SPDT RF Switch from DC to 20 GHz

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概述

HG127K是一款非反射型GaAs pHEMT SPDT开关芯片，覆盖DC至20GHz，具有50dB的高隔离度和1.5dB的极低插入损耗。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
终止 / Termination : Absorptive
频率 / Frequency : DC to 20 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 1.5 dB
隔离 / Isolation : 50 dB
电源 / Power : 0.5 W
控制电压 / Control Voltage : 0 to -5 V
驻波比 / VSWR : 1.40:1
驻波比输入 / VSWR Input : 1.40:1
驻波比输出 / VSWR Output : 1.40:1
包装类型 / Package Type : Chip
尺寸 / Dimension : 1.83 x 1.22 x 0.1 mm
技术 / Technology : GaAs pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial

应用

1. 无线通信 2. 雷达系统 3. 测试和测量设备

特征

1. 高隔离度 2. 极低插入损耗 3. 无需偏置电源 4. 适应宽频率范围

详述

HG127K是一款高性能的GaAs MMIC SPDT开关，专为需要高隔离度和低插入损耗的应用而设计。它适用于无线通信、雷达系统以及各种测试和测量设备。该产品支持DC到20GHz的宽频率范围，具有极低的插入损耗和高达50dB的隔离度，确保信号的完整性和质量。此外，HG127K无需偏置电源，操作电压范围为0/-5V，简化了系统的设计和集成。其紧凑的芯片尺寸为1.83mm×1.22mm×0.1mm，适合于空间受限的应用场景。HG127K还具备良好的温度稳定性，适合在-55℃到125℃的环境下工作，广泛应用于现代射频系统中。

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