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HG127KB
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简介:
GaAs pHEMT Reflective SPDT RF Switch from DC to 20 GHz
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概述
HG127KB 是一款反射式 GaAs pHEMT SPDT 开关芯片,覆盖 DC 至 20 GHz,具有极高的隔离度和极低的插入损耗。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SPDT
- 终止 / Termination : Reflective
- 频率 / Frequency : DC to 20 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 1.5 dB
- 隔离 / Isolation : 50 dB
- 电源 / Power : 0.5 W
- 电源电压 / Supply Voltage : -5 V
- 控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
- 驻波比 / VSWR : 1.20:1
- 驻波比输入 / VSWR Input : 1.20:1
- 驻波比输出 / VSWR Output : 1.20:1
- 包装类型 / Package Type : Chip
- 尺寸 / Dimension : 1.26 x 1.27 x 0.1 mm
- 技术 / Technology : GaAs pHEMT
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 等级 / Grade : Commercial
应用
1. 无线通信 2. 雷达系统 3. 测试与测量设备
特征
1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 宽频带覆盖 4. 小型化设计
详述
HG127KB 是一款高性能的 GaAs MMIC SPDT 反射式开关,适用于各种射频应用,包括无线通信、雷达和测试设备。它的工作频率范围从 DC 到 20 GHz,具有高达 50 dB 的隔离度和仅 1.2 dB 的插入损耗,确保信号传输的高效性和可靠性。该开关采用 -5V 的供电电压和 0/+5V 的控制电压,适应性强,能够在广泛的环境条件下稳定工作。其小巧的芯片尺寸(1.26mm×1.27mm×0.1mm)使其易于集成到各种射频系统中。HG127KB 的设计还考虑到了静电保护和环境要求,确保产品在使用过程中的安全性和可靠性。总之,HG127KB 是一款理想的射频开关解决方案,能够满足高性能射频应用的需求。
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