HG129K

分类：开关

厂家： Microarray Technologies Corporation

产地：中国大陆

型号： HG129K

更新时间： 2024-10-17 19:26:48

标签：

通信设备射频开关低插入损耗高隔离度雷达系统 MMIC GaAs

简介：

GaAs pHEMT Reflective SPDT RF Switch from 24 to 40 GHz

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概述

HG129K是一款反射型GaAs pHEMT SPDT开关芯片，频率范围为24到40GHz，具有33 dB的高隔离度和3 dB的插入损耗。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
终止 / Termination : Reflective
频率 / Frequency : 24 to 40 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 3 dB
隔离 / Isolation : 33 dB
电源 / Power : 0.5 W
控制电压 / Control Voltage : 0 to -5 V
驻波比 / VSWR : 1.80:1, 2.00:1
驻波比输入 / VSWR Input : 2.00:1
驻波比输出 / VSWR Output : 1.80:1
包装类型 / Package Type : Chip
尺寸 / Dimension : 1.3 x 1.1 x 0.05 mm
技术 / Technology : GaAs pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial

应用

1. 射频信号切换 2. 通信系统 3. 雷达系统

特征

1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 负控制电压操作

详述

HG129K是一款高性能的反射型GaAs pHEMT SPDT开关芯片，专为满足高频应用而设计。其频率范围覆盖24至40GHz，适用于各种射频信号切换场景。凭借其高达33 dB的隔离度和仅3 dB的插入损耗，HG129K确保了信号的完整性和系统的高效运行。该产品的控制电压为0/-5V，简化了系统设计，无需外部偏置电源。此外，芯片的尺寸为1.3mm×1.1mm×0.05mm，适合集成在紧凑型电路中。HG129K广泛应用于通信系统、雷达设备及其他高频射频应用，能够满足现代电子设备对于高性能和高可靠性的需求。为了确保最佳性能，使用时应注意静电保护，并在干燥的氮气环境中存储。整体而言，HG129K是提升射频系统性能的理想选择。

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