HG133K-2

分类：开关

厂家： Microarray Technologies Corporation

产地：中国大陆

型号： HG133K-2

更新时间： 2024-10-17 21:44:34

标签：

射频高隔离低插入损耗 MMIC GaAs SP3T开关

简介：

GaAs pHEMT Absorptive SP3T RF Switch from DC to 4 GHz

立即咨询

获取报价

下载规格书

概述
规格参数
应用
特征
详述内容
规格书
厂家介绍
其它

概述

HG133K-2是一款非反射GaAs pHEMT SP3T开关芯片，覆盖DC到4GHz，具有高达40dB的隔离度和低至0.8dB的插入损耗。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SP3T
终止 / Termination : Absorptive
频率 / Frequency : DC to 4 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 0.8 dB
隔离 / Isolation : 40 dB
电源 / Power : 0.5 W
电源电压 / Supply Voltage : 5 V
控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
驻波比 / VSWR : 1.10:1, 1.20:1
驻波比输入 / VSWR Input : 1.20:1
驻波比输出 / VSWR Output : 1.10:1
包装类型 / Package Type : Chip
尺寸 / Dimension : 1.84 x 1.29 x 0.1 mm
技术 / Technology : GaAs pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial

应用

1. 无线通信 2. 雷达系统 3. 测试与测量设备

特征

1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 宽频率范围 4. 小型化设计 5. 适应高温环境

详述

HG133K-2是一款高性能的GaAs MMIC SP3T开关，专为覆盖DC至4GHz频段而设计。其低插入损耗仅为0.8dB，确保信号传输的高效性。同时，该产品提供高达40dB的隔离度，能够有效防止信号干扰，适合用于无线通信、雷达系统以及各种测试与测量设备。该开关采用正控制电压工作，具有简单的控制逻辑和良好的稳定性，能够在-55℃至125℃的广泛温度范围内可靠运行。HG133K-2的紧凑尺寸使其特别适合空间受限的应用场景。需要注意的是，GaAs材料的脆性要求在使用和存储时需特别小心，以防止损坏。总的来说，HG133K-2是一款在高频应用中表现出色的射频开关，能够满足高性能和高可靠性的需求。

规格书

下载规格书

厂家介绍

其它

智推产品： HG134K-3 HG135K-1

加载中....