HG134KA
射频组件 低插入损耗 高隔离度 GaAs开关 SP3T开关
GaAs pHEMT Absorptive SP3T RF Switch from DC to 8 GHz
概述
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SP3T
- 终止 / Termination : Absorptive
- 频率 / Frequency : DC to 8 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 1.5 dB
- 隔离 / Isolation : 45 dB
- 电源 / Power : 0.5 W
- 电源电压 / Supply Voltage : -5 V
- 控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
- 驻波比 / VSWR : 1.40:1
- 驻波比输入 / VSWR Input : 1.40:1
- 驻波比输出 / VSWR Output : 1.40:1
- 包装类型 / Package Type : Chip
- 尺寸 / Dimension : 1.4 x 1.25 x 0.1 mm
- 技术 / Technology : GaAs pHEMT
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 等级 / Grade : Commercial
应用
1. 无线通信 2. 测试与测量 3. 雷达系统
特征
1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 适用于多种频率范围 4. 紧凑的芯片尺寸
详述
规格书
厂家介绍
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