HG135K-1

分类：开关

厂家： Microarray Technologies Corporation

产地：中国大陆

型号： HG135K-1

更新时间： 2024-10-18 00:05:26

标签：

微波技术射频开关低插入损耗高隔离度 GaAs SP3T开关

简介：

GaAs pHEMT Reflective SP3T RF Switch from DC to 12 GHz

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概述

HG135K-1是一款不对称反射GaAs pHEMT SP3T开关芯片，覆盖频率范围为DC到12GHz，具有高隔离度45dB和极低的插入损耗（1.2/1.7dB）。该开关使用负控制电压0/-5V进行操作，无需偏置电源。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SP3T
终止 / Termination : Reflective
频率 / Frequency : DC to 12 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 1.2 to 1.7 dB
隔离 / Isolation : 45 dB
电源 / Power : 0.5 W
控制电压 / Control Voltage : 0 to -5 V
驻波比 / VSWR : 1.30:1
驻波比输入 / VSWR Input : 1.30:1
驻波比输出 / VSWR Output : 1.30:1
包装类型 / Package Type : Chip
尺寸 / Dimension : 1.98 x 1.67 x 0.1 mm
技术 / Technology : GaAs pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial

应用

1. 移动通信 2. 卫星通信 3. 雷达系统

特征

1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 无需偏置电源

详述

HG135K-1开关芯片是Microarray Technologies Corporation推出的一款高性能射频开关，专为满足现代通信需求而设计。其频率范围涵盖DC至12GHz，能够在各种应用中提供优异的性能。该产品的高隔离度（45dB）和极低的插入损耗（1.2/1.7dB）使其非常适合于移动通信、卫星通信和雷达系统等领域。HG135K-1开关采用负控制电压（0/-5V）操作，且无需额外的偏置电源，简化了系统设计。其小巧的芯片尺寸（1.98mm×1.67mm×0.1mm）使其在空间受限的应用中也能轻松集成。同时，HG135K-1的使用和存储要求也非常简单，只需在干燥和氮气环境中进行存放，避免静电损伤即可。无论是在技术参数还是应用场景上，HG135K-1都是一款值得信赖的高性能射频开关。

规格书

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厂家介绍

其它

智推产品： HG135K-2 HG135K-3

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