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HG135K-1
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简介:
GaAs pHEMT Reflective SP3T RF Switch from DC to 12 GHz
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概述
HG135K-1是一款不对称反射GaAs pHEMT SP3T开关芯片,覆盖频率范围为DC到12GHz,具有高隔离度45dB和极低的插入损耗(1.2/1.7dB)。该开关使用负控制电压0/-5V进行操作,无需偏置电源。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SP3T
- 终止 / Termination : Reflective
- 频率 / Frequency : DC to 12 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 1.2 to 1.7 dB
- 隔离 / Isolation : 45 dB
- 电源 / Power : 0.5 W
- 控制电压 / Control Voltage : 0 to -5 V
- 驻波比 / VSWR : 1.30:1
- 驻波比输入 / VSWR Input : 1.30:1
- 驻波比输出 / VSWR Output : 1.30:1
- 包装类型 / Package Type : Chip
- 尺寸 / Dimension : 1.98 x 1.67 x 0.1 mm
- 技术 / Technology : GaAs pHEMT
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 等级 / Grade : Commercial
应用
1. 移动通信 2. 卫星通信 3. 雷达系统
特征
1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 无需偏置电源
详述
HG135K-1开关芯片是Microarray Technologies Corporation推出的一款高性能射频开关,专为满足现代通信需求而设计。其频率范围涵盖DC至12GHz,能够在各种应用中提供优异的性能。该产品的高隔离度(45dB)和极低的插入损耗(1.2/1.7dB)使其非常适合于移动通信、卫星通信和雷达系统等领域。HG135K-1开关采用负控制电压(0/-5V)操作,且无需额外的偏置电源,简化了系统设计。其小巧的芯片尺寸(1.98mm×1.67mm×0.1mm)使其在空间受限的应用中也能轻松集成。同时,HG135K-1的使用和存储要求也非常简单,只需在干燥和氮气环境中进行存放,避免静电损伤即可。无论是在技术参数还是应用场景上,HG135K-1都是一款值得信赖的高性能射频开关。
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其它
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