HMC190BMS8 / 190BMS8E

分类：开关

厂家： Analog Devices

产地：美国

型号： HMC190BMS8 / 190BMS8E

更新时间： 2024-11-08 08:12:44

标签：

射频开关低插入损耗 MMIC GaAs 高输入IP3

简介：

Solid State SPDT Switch from DC to 3 GHz

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概述

HMC190BMS8(E) 是一种低成本的 SPDT 开关，适用于 DC 到 3 GHz 的信号控制，特别适合低功率和中功率应用。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
应用行业 / Application Industry : Wireless / Communication
频率 / Frequency : DC to 3 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 0.4 to 1.0 dB
隔离 / Isolation : 19 to 30 dB
P1dB / P1dB : 0.199 to 1 W
电源 / Power : 0.501 to 2.511 W
IIP3 / IIP3 : 44 to 56 dBm
IIP3 (W) / IIP3 (W) : 25.11 to 398.1 W
控制电压 / Control Voltage : 0 to 3 V
开关速度 / Switching Speed : 5 to 10 nS
阻抗 / Impedance : 50 Ohms
包装类型 / Package Type : Surface Mount
包装 / Package : MSOP8
工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
RoHS / RoHS : Yes

应用

1. MMDS 2. 无线局域网 3. 便携式无线系统

特征

1. 低插入损耗 2. 超小封装 3. 高输入 IP3 4. 正控制 5. 优良的VSWR性能

详述

HMC190BMS8 / 190BMS8E 是一种高性能的 GaAs MMIC SPDT 开关，专为 DC 到 3 GHz 的信号控制而设计。它在低插入损耗（0.4 dB）和高输入三阶截获点（+56 dBm）方面表现出色，特别适合用于 MMDS、无线局域网及便携式无线系统等应用。该产品采用超小的 MSOP8 封装，便于集成到各种设备中。其正控制电压设计使其在电池供电的无线系统中表现优异，能够有效减少功耗。HMC190BMS8(E) 的设计优化了在 2 GHz 以下的 VSWR 性能，确保信号的高效传输。无论是在工业应用还是消费电子产品中，这款开关都能够满足严格的性能要求，是射频工程师的理想选择。

规格书

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厂家介绍

凭借对设计技能、系统理解和工艺技术的独特组合，Analog Devices 提供最广泛的射频集成电路产品组合，涵盖从业界领先的高性能射频功能块到高度集成的单芯片收发器解决方案的整个射频信号链。射频功能块包括 DDS 和 PLL 合成器、TruPwr 功率检测器和对数放大器、X-Amp VGA、功率放大器、LNA 和其他放大器、混频器以及直接转换调制器和解调器产品。

其它

智推产品： HMC239AS8 HMC190BMS8E

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