HMC199AMS8 / 199AMS8E

分类：开关

厂家： Analog Devices

产地：美国

型号： HMC199AMS8 / 199AMS8E

更新时间： 2024-11-04 10:49:18

标签：

射频开关移动通信低插入损耗 RoHS合规 SPDT开关

简介：

Solid State SPDT Switch from DC to 2.5 GHz

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概述

HMC199AMS8 & HMC199AMS8E是低成本通用双SPDT GaAs“旁路”开关，覆盖DC到2.5 GHz，集成了两个SPDT开关和一条通线于单个IC上。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
应用行业 / Application Industry : Cellular
应用类型 / Application Type : Base Station
频率 / Frequency : DC to 2.5 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 0.3 to 1.0 dB
隔离 / Isolation : 17 to 25 dB
P1dB / P1dB : 0.316 to 0.63 W
电源 / Power : 0.851 W
IIP3 / IIP3 : 40 to 55 dBm
IIP3 (W) / IIP3 (W) : 10 to 316.22 W
控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
开关速度 / Switching Speed : 20 to 40 nS
阻抗 / Impedance : 50 Ohms
包装类型 / Package Type : Surface Mount
包装 / Package : MSOP8
工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
RoHS / RoHS : Yes

应用

1. 移动通信基站 2. ISM基站 3. LNA或滤波器旁路开关 4. 单位衰减器切换

特征

1. 低插入损耗 2. 超小MSOP8封装 3. 兼容CMOS和大多数TTL逻辑系列 4. RoHS合规产品

详述

HMC199AMS8 / 199AMS8E是Analog Devices推出的一款高性能双SPDT开关，适用于从DC到2.5 GHz的频率范围。其设计旨在提供低插入损耗，通常在2 GHz时小于0.5 dB，确保信号的有效传输。该开关的隔离度在25到30 dB之间，确保了在不同信号路径之间的良好隔离，减少了信号干扰。HMC199AMS8E符合RoHS标准，适合现代环保要求。它的超小MSOP8封装使其在空间受限的应用中尤为理想，广泛应用于移动通信基站、ISM基站、低噪声放大器和滤波器的旁路切换等场景。该产品不仅支持0/+5V和0/+3V的控制电压，还能够与CMOS和TTL逻辑系列兼容，便于集成于各种电子设备中。总之，HMC199AMS8 / 199AMS8E是一款功能强大、灵活性高的射频开关，适合多种高频应用。

规格书

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厂家介绍

凭借对设计技能、系统理解和工艺技术的独特组合，Analog Devices 提供最广泛的射频集成电路产品组合，涵盖从业界领先的高性能射频功能块到高度集成的单芯片收发器解决方案的整个射频信号链。射频功能块包括 DDS 和 PLL 合成器、TruPwr 功率检测器和对数放大器、X-Amp VGA、功率放大器、LNA 和其他放大器、混频器以及直接转换调制器和解调器产品。

其它

智推产品： HMC199AMS8E HMC199A HMC199B

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