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HMC347ALP3E 开关

HMC347ALP3E

分类: 开关

厂家: Analog Devices

产地: 美国

型号: HMC347ALP3E

更新时间: 2024-11-04 02:50:13

射频开关 高隔离 低插入损耗 GaAs开关 宽带开关

Solid State SPDT Absorptive Switch from DC to 14 GHz

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概述

HMC347ALP3E是一款宽带高隔离非反射型GaAs pHEMT SPDT开关,封装为低成本无引脚QFN表面贴装塑料封装,工作频率范围为DC至14 GHz,提供高隔离和低插入损耗

参数

  • 类型 / Type : Solid State
  • 配置 / Configuration : SPDT
  • 终止 / Termination : Absorptive
  • 应用 / Application : 5G, VSAT
  • 应用行业 / Application Industry : Test & Measurement, Cellular, Radar, Military, Broadcast
  • 应用类型 / Application Type : Radio
  • 应用类型 / Application Type : ECM
  • 频率 / Frequency : DC to 14 GHz
  • 插入损耗 / Insertion Loss : 1.5 to 2.5 dB
  • 隔离 / Isolation : 34 to 54 dB
  • P1dB / P1dB : 0.251 to 0.794 W
  • 电源 / Power : 0.501 W
  • IIP3 / IIP3 : 42 to 47 dBm
  • IIP3 (W) / IIP3 (W) : 15.84 to 50.11 W
  • 控制电压 / Control Voltage : 0.5 to 7.5 V
  • 开关速度 / Switching Speed : 2 to 10 nS
  • 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
  • 包装类型 / Package Type : Surface Mount
  • 包装 / Package : QFN SMT
  • 尺寸 / Dimension : 3 x 3 mm
  • 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 85 Degree C
  • 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
  • RoHS / RoHS : Yes

应用

1. 基站基础设施 2. 光纤和宽带电信 3. 微波无线电和VSAT 4. 军用无线电、雷达和电子对抗 5. 测试仪器

特征

1. 高隔离:>54 dB,直至3 GHz 2. 低插入损耗:1.8 dB @ 10 GHz 3. 非反射设计 4. 3x3 mm QFN SMT封装

详述

HMC347ALP3E是一款高性能的GaAs MMIC SPDT非反射型开关,覆盖频率范围为DC至14 GHz。它设计用于满足基站基础设施、光纤和宽带电信、微波无线电、军用无线电等多种应用需求。该开关具有超过54 dB的高隔离度,确保信号的完整性和系统的性能,同时其低插入损耗特性(在10 GHz时为1.8 dB)使其在高频应用中表现出色。HMC347ALP3E的非反射设计和紧凑的3x3 mm QFN SMT封装,使其在空间受限的环境中也能轻松部署。通过使用互补负控制电压逻辑线(-5/0V),该开关无需偏置电源,降低了系统复杂性。无论是在军事、测试仪器还是通信基础设施中,HMC347ALP3E都是一个理想的选择。

规格书

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厂家介绍

凭借对设计技能、系统理解和工艺技术的独特组合,Analog Devices 提供最广泛的射频集成电路产品组合,涵盖从业界领先的高性能射频功能块到高度集成的单芯片收发器解决方案的整个射频信号链。射频功能块包括 DDS 和 PLL 合成器、TruPwr 功率检测器和对数放大器、X-Amp VGA、功率放大器、LNA 和其他放大器、混频器以及直接转换调制器和解调器产品。

其它

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