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HMC349AMS8G 开关

HMC349AMS8G

分类: 开关

厂家: Analog Devices

产地: 美国

型号: HMC349AMS8G

更新时间: 2025-01-27 12:08:33

无线基础设施 射频开关 高隔离 低插入损耗 SPDT开关

Solid State SPDT Absorptive Switch from 0.1 to 4 GHz

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概述

HMC349AMS8G是一款高隔离、无反射的氮化镓(SPDT)开关,频率范围从100 MHz到4 GHz,适用于各种无线基础设施应用。

参数

  • 类型 / Type : Solid State
  • 配置 / Configuration : SPDT
  • 终止 / Termination : Absorptive
  • 应用 / Application : 4G/LTE, Private Mobile Radios (PMR)
  • 应用行业 / Application Industry : Cellular, Automotive, Wireless / Communication, Test & Measurement, Broadcast
  • 应用类型 / Application Type : Radio
  • 频率 / Frequency : 0.1 to 4 GHz
  • 插入损耗 / Insertion Loss : 0.8 to 2.1 dB
  • 隔离 / Isolation : 38 to 70 dB
  • P1dB / P1dB : 0.316 to 2.511 W
  • 电源 / Power : 0.398 to 1.412 W
  • IIP3 / IIP3 : 52 to 54 dBm
  • IIP3 (W) / IIP3 (W) : 158.48 to 251.18 W
  • 电源电压 / Supply Voltage : 3 to 5 V
  • 供电电流 / Supply Current : 1.2 to 3.5 mA
  • 控制电压 / Control Voltage : 0 to 2 V
  • 开关速度 / Switching Speed : 60 to 160 nS
  • 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
  • 包装类型 / Package Type : Surface Mount
  • 包装 / Package : LFCSP
  • 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
  • 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
  • RoHS / RoHS : Yes

应用

1. 蜂窝/4G基础设施 2. 无线基础设施 3. 移动无线电 4. 测试设备

特征

1. 无反射设计 2. 高隔离度: 57dB至2GHz 3. 低插入损耗: 0.9dB至2GHz 4. 高输入线性度 5. 单一正电源供电: 3V至5V 6. CMOS-/TTL兼容控制接口 7. 8引脚迷你小轮廓封装

详述

HMC349AMS8G是一款高性能的氮化镓(SPDT)开关,专为无线基础设施设计,具有极高的隔离度和低插入损耗。其工作频率范围从100 MHz到4 GHz,能够满足现代通信系统的需求。该开关采用单一正电源供电,电压范围为3 V至5 V,适合多种应用场景,包括蜂窝基础设施、无线基础设施、移动无线电和测试设备。其高输入线性度和强大的功率处理能力使其成为高频应用的理想选择。此外,HMC349AMS8G还具备CMOS-/TTL兼容控制接口,便于集成到现有系统中。该产品封装为8引脚迷你小轮廓封装,便于PCB布局,适合各种空间受限的应用。

规格书

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厂家介绍

凭借对设计技能、系统理解和工艺技术的独特组合,Analog Devices 提供最广泛的射频集成电路产品组合,涵盖从业界领先的高性能射频功能块到高度集成的单芯片收发器解决方案的整个射频信号链。射频功能块包括 DDS 和 PLL 合成器、TruPwr 功率检测器和对数放大器、X-Amp VGA、功率放大器、LNA 和其他放大器、混频器以及直接转换调制器和解调器产品。

其它

智推产品: HMC349AMS8GTR HMC349AMS8GE HMC349AMS8GETR

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