HMC435AMS8G / 435AMS8GE

分类：开关

厂家： Analog Devices

产地：美国

型号： HMC435AMS8G / 435AMS8GE

更新时间： 2025-01-27 12:07:20

标签：

射频开关高隔离低插入损耗 GaAs 非反射型 MSOP封装

简介：

Solid State SPDT Absorptive Switch from DC to 4 GHz

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概述

HMC435AMS8G(E) 是一种非反射型的 SPDT 开关，工作频率范围为 DC 到 4 GHz，采用低成本的 8 引脚 MSOP8G 表面贴装封装，适用于蜂窝/3G 和 WiMAX/4G 应用，具有高达 60 dB 的隔离度，低 0.8 dB 的插入损耗和 +50 dBm 的输入三阶截断点。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
终止 / Termination : Absorptive
应用 / Application : 3G/WCDMA, 4G/LTE, WiMAX
应用行业 / Application Industry : Cellular, Test & Measurement
应用类型 / Application Type : CATV
频率 / Frequency : DC to 4 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 0.8 to 1.8 dB
隔离 / Isolation : 30 to 62 dB
P1dB / P1dB : 0.501 to 1 W
电源 / Power : 1.258 W
IIP3 / IIP3 : 45 to 54 dBm
IIP3 (W) / IIP3 (W) : 31.62 to 251.18 W
控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
开关速度 / Switching Speed : 40 to 60 nS
阻抗 / Impedance : 50 Ohms
包装类型 / Package Type : Surface Mount
包装 / Package : MSOP
工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
RoHS / RoHS : Yes

应用

1. 基站与中继器 2. 蜂窝/3G 和 WiMAX/4G 3. 基础设施和接入点 4. CATV/CMTS 5. 测试仪器

特征

1. 高隔离度: 62 dB @ 1 GHz 2. 单正控制: 0/+5V 3. 非反射设计 4. 超小 MSOP-86 封装: 14.8 mm2

详述

HMC435AMS8G / 435AMS8GE 是一款专为高频应用设计的非反射型 SPDT 开关，工作频率范围从 DC 到 4 GHz，广泛应用于基站、蜂窝网络、WiMAX、CATV 和测试设备。该产品具有优异的性能，提供高达 62 dB 的隔离度和低于 1.2 dB 的插入损耗，确保信号的完整性和稳定性。其超小的 MSOP-86 封装设计使其适合各种空间受限的应用场合。同时，开关的控制电压范围为 0/+5V，便于集成到现有系统中。HMC435AMS8G / 435AMS8GE 还具备出色的功率处理能力，能够承受高达 +30 dBm 的压缩点，确保在高负载情况下的可靠性。无论是在基础设施建设还是在高频测试仪器中，该产品都能提供卓越的性能和稳定性，是射频工程师的理想选择。

规格书

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厂家介绍

凭借对设计技能、系统理解和工艺技术的独特组合，Analog Devices 提供最广泛的射频集成电路产品组合，涵盖从业界领先的高性能射频功能块到高度集成的单芯片收发器解决方案的整个射频信号链。射频功能块包括 DDS 和 PLL 合成器、TruPwr 功率检测器和对数放大器、X-Amp VGA、功率放大器、LNA 和其他放大器、混频器以及直接转换调制器和解调器产品。

其它

智推产品： HMC431AMS8G HMC432AMS8G HMC435AMS8G

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