HI5860

参数

• 决议 / Resolution : 12 Bit
• 采样率 / Sample Rate : 130 MSps
• DNL / DNL : ±1 LSB
• INL / INL : ±2 LSB
• SFDR / SFDR : 76 dBc
• 设置时间 / Setup Time : 1.5 ns
• 沉淀时间 / Settling Time : 35 ns
• 上升时间 / Rise Time : 2.5 ns
• 秋季时间 / Fall Time : 2.5 ns
• 保持时间 / Hold Time : 1.2 ns
• 增益误差 / Gain Error : ±10% FSR
• 偏移误差 / Offset Error : ±0.025% FSR
• 电流消耗 / Current Consumption : 5 to 23 mA
• 功率耗散 / Power Dissipation : 32 to 200 mW
• 电源电压 / Supply Voltage : 3 to 5 V
• Vref / Vref : 1.13 to 1.28 V
• 应用 / Applications : Cellular
• 应用 / Applications : Base Station
• 应用 / Applications : Medical
• 应用 / Applications : Test Instrumentation
• 应用 / Applications : Wireless Communication
• 包装 / Package : 28 Lead SOIC / 28 Lead TSSOP
• 存储温度 / Storage Temperature : -60 to 150 Degree C
• 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
• RoHS / RoHS : Yes

厂家介绍