CT0404ALN2WB1
射频产品 功率终端 高频 光电 芯片终端
1 W Thin Film Termination from DC to 64 GHz
概述
参数
- 类型 / Type : Chip Termination
- 频率 / Frequency : DC to 64 GHz
- 电源 / Power : 1 W
- 峰值功率 / Peak Power : 10 W
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 应用 / Application : Test & Measurement, SATCOM, Radar, Broadcast
- 基底材料 / Substrate Material : Aluminum Nitride
- 法兰材料 / Flange Material : Thin Film
- 法兰材料 / Flange Material : Gold over Nickel
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 尺寸 / Dimension : 1.016 X 1.016 x 0.381 mm
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 150 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
应用
1. 放大器电路 2. 隔离器 3. 发射/接收模块 4. 上/下变频器 5. 仪器仪表 6. 卫星通信 7. 雷达 8. 广播
特征
1. 功率等级高达5瓦,功率等级能力提高至5倍 2. 频率范围DC至64GHz,具有最佳的宽带性能 3. 优化的回波损耗,适用于多频段 4. 总薄膜结构 5. 足够小的占位面积,节省空间和重量 6. 支持高产量生产,满足客户快速增长需求
详述
规格书
厂家介绍
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