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CGY2175AUH/C1 波束成形集成电路

CGY2175AUH/C1

分类: 波束成形集成电路

厂家: MACOM

产地: 美国

型号: CGY2175AUH/C1

更新时间: 2025-01-23 18:38:20

高性能 衰减器 集成电路 C波段 射频芯片 相位移器

6 Bit Integrated GaAs MMIC from 4.5 to 6.5 GHz

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概述

CGY2175AUH/C1是一款高性能GaAs pHEMT技术MMIC 3端口、6位核心芯片,工作在C波段。它包括一个6位相位移器、一个6位衰减器和T/R开关。片上串行到并行转换器最小化了焊接垫的数量,大大简化了核心芯片功能的使用。

参数

  • 应用 / Application : Radar
  • 应用 / Application : Telecomunication
  • 应用 / Application : Instrumentation
  • 类型 / Type : Transmit/Receive
  • 乐队 / Band : C Band
  • 频率 / Frequency : 4.5 to 6.5 GHz
  • 增益控制 LSB / Gain Control LSB : 0.5 dB
  • Tx/Rx 切换时间 / Tx/Rx Switching Time : 10 ns
  • 相位控制 / Phase Control : 6 Bit
  • 相位控制 LSB / Phase Control LSB : 5.625 Degree
  • 均方根相位误差 / RMS Phase Error : 1.25 to 4 Degree
  • 电压 / Voltage : -5 to 7 V
  • 耗电量 / Power Consumption : 0.1 W
  • 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
  • 备注 / Note : Insertion Loss :- 12 dB, Phase Shift Range :- 360 Degree

应用

1. 雷达 2. 电信 3. 仪器仪表

特征

1. 360°相位范围 2. 低插入损耗 3. 高可靠性设计 4. 符合RoHS标准 5. 样品和演示板可用 6. 适用于空间和MIL-STD应用

详述

CGY2175AUH/C1是一款专为高性能应用设计的集成核心芯片,适合用于C波段的雷达系统、电信基础设施及各种仪器仪表。它采用先进的GaAs pHEMT技术,集成了6位相位移器和6位衰减器,具有出色的相位和幅度精度。该芯片的插入损耗低至11.7 dB,且在5.4 GHz频率下表现优异,确保信号的高效传输。此外,CGY2175AUH/C1的设计符合RoHS标准,适合在恶劣环境及空间应用中使用。其小巧的芯片尺寸和灵活的功能设置,使其在现代射频系统中成为理想的解决方案。无论是用于军事、航空航天还是商业电信,CGY2175AUH/C1都能提供卓越的性能和可靠性。

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厂家介绍

MACOM 为电信、工业、国防和数据中心行业设计和制造高性能半导体产品。MACOM 每年为 6,000 多家客户提供服务,产品组合广泛,包括射频、微波、模拟和混合信号以及光学半导体技术。MACOM 已通过 IATF16949 汽车标准、ISO9001 国际质量标准和 ISO14001 环境管理标准认证。凭借多个设计中心、硅、砷化镓和 InP 制造、制造、装配和测试,MACOM 拥有 70 多年的应用专业知识,其工厂遍布美国、欧洲和亚洲。此外,MACOM 还提供代工和设计服务,这也是其业务的关键核心竞争力。

其它

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